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2月17日消息，據(jù)杭州日報報導(dǎo)，由昕原半導(dǎo)體(杭州)有限公司(以下稱“昕原半導(dǎo)體”)主導(dǎo)建設(shè)的國內(nèi)首條28/22nmReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機(jī)驗(yàn)收工作，實(shí)現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產(chǎn)）。

目前，全球主流的新型存儲器技術(shù)主要有PCM(相變存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)。相較于其他幾項(xiàng)新型存儲器技術(shù)而言，ReRAM的材料需求種類和額外的光罩?jǐn)?shù)量更少，可以實(shí)現(xiàn)更低的生產(chǎn)成本。同時，業(yè)界普遍認(rèn)為ReRAM能夠充分滿足神經(jīng)形態(tài)計算和邊緣計算等應(yīng)用對能耗、性能和存儲密度的要求，預(yù)期將在AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計算(存算一體)等領(lǐng)域獲得廣泛的運(yùn)用。

“我們從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，非常看好ReRAM存儲器的技術(shù)及商業(yè)發(fā)展前景，所以把它作為我們的研發(fā)重點(diǎn)！”昕原半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示。

新型存儲器的核心，是在其開發(fā)中需要在傳統(tǒng)CMOS工藝?yán)镌黾右恍┨厥獾牟牧匣蚬に嚕@些特殊材料或工藝的開發(fā)則需要經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)及測試驗(yàn)證。

傳統(tǒng)CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發(fā)進(jìn)度，而國內(nèi)各大科研院所雖可在實(shí)驗(yàn)室階段加快迭代速度，但沒有標(biāo)準(zhǔn)的12英寸量產(chǎn)產(chǎn)線，實(shí)驗(yàn)成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12英寸中試生產(chǎn)線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實(shí)驗(yàn)室的長處，迭代速度快，產(chǎn)線靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權(quán)，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現(xiàn)變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線，我們產(chǎn)線的順利導(dǎo)通并完成產(chǎn)品的驗(yàn)證和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將極大帶動我國新型存儲行業(yè)發(fā)展。”昕原半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，“而在這一領(lǐng)域，目前國內(nèi)外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”提供了可能。”

存儲芯片中除了NAND閃存及DRAM內(nèi)存之外，還有多種技術(shù)選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲器)就是其中一種，其寫入壽命可達(dá)100萬次，此前主要是生產(chǎn)難度大，現(xiàn)在杭州昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)了國內(nèi)首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線。

傳統(tǒng)CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發(fā)進(jìn)度，而國內(nèi)各大科研院所雖可在實(shí)驗(yàn)室階段加快迭代速度，但沒有標(biāo)準(zhǔn)的12寸量產(chǎn)產(chǎn)線，實(shí)驗(yàn)成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產(chǎn)線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實(shí)驗(yàn)室的長處，迭代速度快， 產(chǎn)線靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權(quán)，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現(xiàn)變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產(chǎn)線，我們產(chǎn)線的順利導(dǎo)通并完成產(chǎn)品的驗(yàn)證和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將極大帶動我國新型存儲行業(yè)發(fā)展。”

昕原半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，“而在這一領(lǐng)域，目前國內(nèi)外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)‘彎道超車’提供了可能。”

來源：微電子制造