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中國南車旗下株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司“軌道交通用3300伏等級(jí)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片研制及應(yīng)用”項(xiàng)目，12月21日在長(zhǎng)沙通過由湖南省科技廳組織的專家組鑒定。鑒定認(rèn)為，該成果代表了軌道交通用該電壓等級(jí)IGBT器件技術(shù)最高水平，填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。這也是我國企業(yè)研制并成功批量裝車應(yīng)用的首款具完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IGBT芯片。
IGBT被譽(yù)為功率變流產(chǎn)品的“CPU”，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件，具有易驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等特點(diǎn)。IGBT系統(tǒng)技術(shù)中最關(guān)鍵則是功率半導(dǎo)體器件的芯片技術(shù)。
中國南車在株洲投入近15億元，建設(shè)了國內(nèi)首條8英寸生產(chǎn)基地，可年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊IGBT芯片。公司副總經(jīng)理劉可安介紹，明年年底正式投產(chǎn)后，可提高現(xiàn)有產(chǎn)量逾7倍。2008年，中國南車收購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司，掌握了成熟的IGBT設(shè)計(jì)、制造和檢測(cè)技術(shù)，隨后在英國成立功率半導(dǎo)體海外研發(fā)中心，專注IGBT芯片、碳化硅等高端技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用。公司現(xiàn)已掌握了電壓等級(jí)從1200伏到6500伏不等的5種IGBT芯片及模塊封裝、測(cè)試、應(yīng)用技術(shù)，并成功實(shí)現(xiàn)國內(nèi)城市軌道車輛、大功率交流傳動(dòng)電力機(jī)車裝車，安全運(yùn)行50余萬公里。
作為城市軌道交通牽引主流器件，軌道交通用3000伏電壓等級(jí)IGBT芯片應(yīng)用前景廣泛。中國工程院院士劉友梅等認(rèn)為，項(xiàng)目成果增加了芯片電流容量，提高了器件抗閂鎖能力和短路能力，降低了導(dǎo)通壓降，減少了制造成本，技術(shù)創(chuàng)新性強(qiáng)，達(dá)國際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)了具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)3300V等級(jí)IGBT芯片的突破。（記者俞慧友 通訊員劉亞鵬 曹婷）
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